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SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法.pdf

    本发明公开了一种SGT半导体器件的栅间介质层的制造方法，包括：步骤一、形成栅极沟槽，在栅极沟槽中形成底部介质层以及屏蔽栅导电材料层。步骤二、形成第二介质层覆盖在形成有屏蔽栅导电材料层的栅极沟槽的内外表面上。步骤三、形成第一掩膜层将栅极沟槽内的第一间隙完全填充并延伸到第一间隙外。进行图形化在第一掩膜层中形成第一开口，第一开口位于栅极沟槽的两侧且将底部的第二介质层的表面暴露出来。步骤四、从第一开口的底部开始对第二介质层进行刻蚀湿法刻蚀且由湿法刻蚀后的第二介质层组成栅间介质层。步骤五、去除第一掩膜层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763551 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211498745.6 (22)申请日 2022.11.28 (71)申请人 上海华虹宏力半导体

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