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2023-06-05 发布于四川
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等离子体生成装置和半导体工艺设备.pdf

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本发明提供一种等离子体生成装置和半导体工艺设备。该装置包括：反应腔室，其具有进气口和出气口；反应腔室包括等离子体生成结构，等离子体生成结构包括：第一电极部和第二电极部，第一电极部中设置有第一输气通道，第二电极部中设置有第二输气通道，第一输气通道与反应腔室的进气口和第二输气通道连通，第二输气通道与反应腔室的出气口连通；第一电极部和第二电极部用于在两个直流电源端之间的电压的控制下，在第一输气通道中以及第一电极部与第二电极部之间的间隔区域中进行放电，以将第一输气通道中以及间隔区域中的反应气体激发成等离

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112738968 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011508629.9 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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