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氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdf

    本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及可通过在低温下不易分解而在高温的蚀刻条件下容易分解来防止生长为硅类颗粒，增加氮化硅膜与氧化硅膜的选择比的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112745853 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010974700.6 (22)申请日 2020.09.16 (30)优先权数据

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