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一种超级结器件结构的电性补偿方法，包括：提供第一批次晶圆，第一批次晶圆包括测试晶圆及若干待补偿晶圆；在测试晶圆内形成第一外延层，第一外延层内有第一离子；获取第一外延层的第一电阻值；获取第一批次晶圆的超级结器件结构中第一外延层对应的最佳电阻值；获取将第一电阻值调整为最佳电阻值时对应的外延掺杂工艺参数偏差值；根据外延掺杂工艺参数偏差值当外延掺杂工艺修正补偿；采用补偿后的工艺参数在待补偿晶圆内形成第二外延层。通过将第一离子掺杂总量的表征转化为精确化的电阻值进行表征，使得工艺参数调节时具有精确化的依据，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115763292 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211508970.3
(22)申请日 2022.11.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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