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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本公开实施例提供一种半导体装置，其包含在外延源极/漏极区和半导体基底之间形成的隔离层的纳米结构场效晶体管及其形成方法。在一实施例中，半导体装置包含电源导轨，在电源导轨上方的介电层，在介电层上方的第一通道区，在第一通道区上方的第二通道区，在第一通道区和第二通道区上方的栅极堆叠，其中栅极堆叠更设置在第一通道区和第二通道区之间，以及邻近栅极堆叠并电连接到电源导轨的第一源极/漏极区。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750824 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011103380.3 (22)申请日 2020.10.15 (30)优先权数据

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