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2023-06-05 发布于四川
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一种SJ‑IGBT器件及其形成方法，所述器件包括：半导体衬底；多个栅极结构，位于所述半导体衬底内，所述栅极结构包含单侧控制栅极结构以及双侧控制栅极结构；多个插塞结构，位于所述半导体衬底上；其中，所述半导体衬底内具有P型体掺杂区和多个P型柱体，至少一部分P型柱体穿通所述P型体掺杂区；对于每个穿通所述P型体掺杂区的P型柱体，该P型柱体与相邻的插塞结构之间均通过至少一个单侧控制栅极结构进行隔离，且用于隔离的所述单侧控制栅极结构穿通所述P型体掺杂区。本发明可以降低生产成本，提高生产效率，减少工艺限制。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763529 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211500612.8 (22)申请日 2022.11.28 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址