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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    本公开实施例说明半导体结构的形成方法，包括形成虚置栅极结构于基板上；形成第一间隔物于虚置栅极结构的侧壁上，并形成第二间隔物于第一间隔物上；形成源极/漏极结构于基板上；移除第二间隔物；形成介电结构于源极/漏极结构上；将虚置栅极结构置换为金属栅极结构与金属栅极结构上的盖结构；以及形成开口于介电结构中。开口露出源极/漏极结构。方法亦包括形成虚置间隔物于开口的侧壁上；形成接点结构于开口中；以及移除虚置间隔物以形成气隙于接点结构与金属栅极结构之间。接点结构接触开口中的源极/漏极结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750778 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011001155.9 (22)申请日 2020.09.22 (30)优先权数据 62/927,39

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