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鳍端部栅极结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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鳍端部栅极结构及其形成方法.pdf

    本公开涉及鳍端部栅极结构及其形成方法。一种方法包括：在突出鳍的第一部分和第二部分上同时形成第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；同时去除第一虚设栅极堆叠的第一栅极电极和第二虚设栅极堆叠的第二栅极电极，以分别形成第一沟槽和第二沟槽；形成蚀刻掩模，其中，蚀刻掩模填充第一沟槽和第二沟槽；图案化蚀刻掩模以从第一沟槽去除蚀刻掩模；去除第一虚设栅极堆叠的第一虚设栅极电介质，其中，蚀刻掩模保护第一虚设栅极堆叠的第二栅极电介质不被去除；以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一替换栅极堆叠和第二替换栅极堆叠。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750771 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011172342.3 (22)申请日 2020.10.28 (30)优先权数据 62/927,56

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