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一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法.pdf

    本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于5N的W粉为原料，先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为80％～90％的预成型钨靶坯。然后通过多道次小变形热轧的方式在预成型钨靶坯表面0.5～2mm厚度的范围内形成相对密度为95％～99％的致密化表层，心部密度及组织状态仍保持不变。最后将多道次小变形轧制后的钨靶坯进行无包套热等静压烧结致密化处理，处理后将表层0.5～2mm厚度的轧制态组织去除，获得致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤10μm，氧含量≤10p

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115740452 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211399556.3 B22F 3/15 (2006.01)

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