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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    此处说明采用介电结构的半导体装置与半导体装置的形成方法。半导体装置关于全绕式栅极装置，其形成于基板上并彼此隔有介电结构。介电结构形成于两个全绕式栅极装置之间的鳍状物上，并将形成于鳍状物上的栅极切割成两个分开的栅极。两个全绕式栅极装置亦具有底间隔物于全绕式栅极装置的源极/漏极区之下。底间隔物隔离源极/漏极区与基板。介电结构具有浅底部，其高于底间隔物的底部。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750775 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011184088.9 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据

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