1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

鳍式场效应晶体管器件及其形成方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约4.34万字
  • 约 60页
  • 2023-06-05 发布于四川
  • 举报

鳍式场效应晶体管器件及其形成方法.pdf

    本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍的相反侧形成隔离区域；在鳍上方形成虚设栅极电极；去除虚设栅极电极的靠近隔离区域的下部，其中，在去除下部之后，在隔离区域与虚设栅极电极的面向隔离区域的下表面之间存在间隙；用栅极填充材料填充间隙；在填充间隙之后，沿着虚设栅极电极的侧壁并沿着栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换虚设栅极电极和栅极填充材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750703 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011187135.5 H01L 29/78 (2006.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >