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磁性隧道结结构及磁性随机存储器.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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磁性隧道结结构及磁性随机存储器.pdf

    本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括多层结构的自由层，两自由层之间是由非磁性金属层形成的反铁磁耦合层。本申请通过反铁磁耦合层实现两自由层的反铁磁耦合，有效地增加总磁矩的垂直各向异性，并降低在自旋激化写电流下的翻转过程中出现的退磁场，从而能够在保证热稳定性条件下降低临界电流。非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750944 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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