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一种半导体器件及形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种半导体器件及形成方法.pdf

    本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，在浮栅材料层的侧壁形成了鸟嘴状的氧化层，因此，在同时去除阻挡层和氧化层后，形成锐化的浮栅悬臂角。避免出现浮栅悬臂角钝化的情况。使浮栅悬臂角处电场集中，有利于浮栅中的电子通过浮栅悬臂角隧穿入擦除栅，提高擦除效率。从而能够提高半导体器件的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112713149 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 20191

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