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本发明公开一种用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，包括：在衬底上形成氧化层；沉积氮化层，湿法刻蚀；生长多晶硅；刻蚀去除晶圆背面的多晶硅；生长ONO膜。本发明是在ONO沉积前增加一道晶背刻蚀工艺，将前期生长在晶背的多晶硅刻蚀掉，从而使晶背膜厚与对比片和控片一致，使得位于对比片和控片背面的薄膜一致，进而使其各自下方的量产晶圆与其余量产晶圆受到相同的热辐射，从而使生长出来的ONO膜厚一致，避免由于ONO膜厚偏差造成的器件性能降低，提高量产晶圆的均一性，进而提高量产器件的良品率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112735941 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202011535772.7
(22)申请日 2020.12.23
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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