原创力文档- 31
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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开了一种晶圆上厚胶边缘的去除方法，属于半导体光刻技术领域。该方法针对晶圆上厚胶(7μm‑20μm)边缘进行去除，首先通过化学方式减薄晶圆边缘区域胶膜厚度，再用边缘曝光的形式进行彻底去除，与现有技术相比，缩短了厚胶边缘光刻胶去除的时间，通过调整各项工艺参数，在保证边缘去除效果的前提下提高了产能，并减少了化学边缘去除液的用量及边缘曝光的时间，起到降本增产的作用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112748638 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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