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一种半导体器件及其制备方法、电器设备.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法、电器设备.pdf

    本申请公开一种半导体器件及其制备方法、电器设备。该半导体器件包括硅基片、自举电极和绝缘层。硅基片上形成有发射极、栅极和集电极。自举电极形成在硅基片上。绝缘层形成于所述硅基片上；位于所述发射极和所述自举电极之间，使得所述发射极和所述自举电极之间构成自举电容。本申请的半导体器件集成有自举电容，无需在电路中另外连接自举电容，简化电路结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750899 B (45)授权公告日 2022.05.27 (21)申请号 201911054305.X (51)Int.Cl.

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