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本申请提供一种筛查晶圆缺陷的测试方法，包括：步骤S1，对芯片中的全部存储单元执行代码Pgm00的操作，以使存储单元中的浮栅呈充满电子的状态；步骤S2，对芯片实施加压测试，以使浮栅中的电子通过缺陷造成的漏电通道加速流失；步骤S3，对芯片中的全部存储单元执行代码Read00的操作，判断代码Pgm00的状态是否由0变1。如果判断代码Pgm00的状态由0变1，则指示受试晶圆存在失效风险，筛选出该受试晶圆；如果判断代码Pgm00的状态未由0变1，则对该受试晶圆进行晶圆测试的功能测试。通过在晶圆测试的功能测
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115762614 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211483465.8
(22)申请日 2022.11.24
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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