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级联H桥多电平变换器混合拓扑结构及其控制方法.pdfVIP

级联H桥多电平变换器混合拓扑结构及其控制方法.pdf

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    本发明利用混合频率脉宽调制区分出的高频模块和低频模块，以及单极性调制拆分出的高频支路和工频支路提出了一种级联H桥多电平变换器混合拓扑结构及控制方法，首先对工频支路采用传输损耗小的SiIGBT，然后对高频支路提供了两种开关损耗小的方案，包括采用SiCMOSFET并联和采用SiCMOSFET与SiIGBT并联，最后将SiIGBT作为低频模块的开关器件并对开关函数进行半工频周期定时轮换。本发明提供的混合拓扑结构及控制方法解决了现有技术中级联H桥多电平变换器功率损耗大且分布不均和中间直流电压不

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112737378 B (45)授权公告日 2021.11.23 (21)申请号 202110015242.8 H02M 7/483 (2007.01)

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