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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。半导体结构包括基板；第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；以及导电轨结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。导电轨结构的上表面与第一垂直结构及第二垂直结构的上表面实质上共平面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750777 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010842526.X (22)申请日 2020.08.20 (30)优先权数据

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