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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开涉及虚设栅极切割工艺及所得栅极结构。一种方法包括：形成虚设栅极堆叠，蚀刻虚设栅极堆叠以形成开口，沉积延伸到开口中的第一电介质层，以及在第一电介质层上沉积第二电介质层，并且第二电介质层延伸到开口中。然后执行平坦化工艺，以形成包括第一电介质层和第二电介质层的栅极隔离区域。然后移除虚设栅极堆叠以在栅极隔离区域的相对侧上形成沟槽。该方法还包括：执行第一蚀刻工艺，以移除第一电介质层的侧壁部分，执行第二蚀刻工艺，以使第二电介质层变薄，以及在沟槽中形成替代栅极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750768 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011163833.1
(22)申请日 2020.10.27
(30)优先权数据
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