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本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有不同光响应增强特性的神经形态器件及其制备方法，神经形态器件由源漏电极、载流子注入层、有机半导体层、空穴捕获层、栅绝缘层、栅极构成。制备方法包括：将硅片Si/二氧化硅SiO2作为器件的栅极与栅绝缘层，进行超声清洗处理并放入干燥箱中烘干；将步骤一处理好的硅片放入真空镀膜系统，真空腔内气压抽至低于5×10‑4pa之后，开始依次蒸镀50nm的alq3、30nm的Pentacene、10nm的MoO3和50nm的铜或金电极。镀膜结束后，使用半导体参数分析仪进行电学测
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115768142 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211504938.8
(22)申请日 2022.11.28
(71)申请人 电子科技大学长三角
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