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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开一种具有应力松弛层的半导体元件,该半导体元件包含一外延基板,外延基板包含一基底,一应力松弛层覆盖并接触基底,一III‑V族堆叠层覆盖并接触应力松弛层,其中III‑V族堆叠层包含氮化铝或氮化铝镓,或包含氮化铝和氮化铝镓两者,III‑V族堆叠层为多层外延结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750904 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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