磁阻装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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本发明提供一种磁阻装置及其形成方法。该磁阻装置包含设置于衬底之上的磁阻、覆盖磁阻的侧表面的应力释放结构、设置于磁阻之上的电连接结构、以及设置于电连接结构和应力释放结构之上的钝化层。本发明通过形成应力释放结构覆盖磁阻的侧表面,释放了施加于磁阻的应力,可以避免磁阻的图案边缘处发生局部裂开,进而避免磁阻的图案边缘发生局部剥离的问题。因此,本发明能提升磁阻装置的制造良品率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750942 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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