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2023-06-05 发布于四川
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一种二氧化碲单晶的制备方法.pdf

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本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法，属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法，包括如下步骤：将水热反应物置于石英衬套管的底部，再加入水，将所述石英衬套管密封后，加热混匀，然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中；在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水，将所述高压釜密封，再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中，设置溶解区和生长区的温度，进行程序降温，即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶，可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112725877 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011502352.9 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人桂林百锐光电技术有限公司

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