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- 2023-06-05 发布于四川
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一种半导体结构与其制造方法，该半导体结构的制造方法包含提供一基板。基板区分为一操作区与一感测区。此制造方法也包含在操作区形成一半导体元件并在感测区形成一感测元件。此制造方法更包含形成一介电层于基板上。此制造方法包含形成一接点于介电层上。接点电性连接于半导体元件。此制造方法也包含形成一支撑层于接点与介电层上。此制造方法更包含形成至少一导电层于支撑层上。导电层包括一第一部分与一第二部分，第一部分电性连接于半导体元件，第二部分具有至少一通孔并设置于感测元件上。此制造方法包含通过至少一通孔将支撑层、介电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750940 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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