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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开了一种直流‑交流变换器拓扑结构,包括采用Si‑IGBT器件构成的主单元、采用SiC‑MOSFET器件构成的从单元、工频变压器;主单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路a,逆变电路a连接LC滤波电路a,LC滤波电路a输出端串联工频变压器的初级绕组,LC滤波电路a输出端还连接负载;从单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路b,逆变电路b连接LC滤波电路b,LC滤波电路b串联工频变压器的次级绕组;将SiC‑MOSFET开关损耗小与Si‑IGBT电流能力强的优点有效结合起来,极大地降低了Si‑IGB
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112751498 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202011501544.8 H02M 1/12 (2006.01)
(22)申请日 2
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