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低介电常数原子层沉积间隙填充方法和材料.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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低介电常数原子层沉积间隙填充方法和材料.pdf

    多种实施方案包括用于提供低介电常数(低‑κ)膜的方法。在一实施方案中，交替ALD循环和掺杂剂材料用于产生新家族的硅基低‑κ材料。具体而言，这些材料是被发展用来填充具有内凹特征的高深宽比结构。然而，这些膜也可用于均厚应用，其中可以使用共形的纳米层合。多种实施方案还公开了SiOF以及SiOCF、SiONF、GeOCF和GeOF。相似膜可包括具有碘与溴的卤化物衍生物(例如，以“I”或“Br”来取代“F”)。本说明书公开其他方法、化学品以及技术。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753090 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201980061977.5 伊恩 ·约翰 ·科廷　

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