InP PHEMT外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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InP PHEMT外延结构及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种InPPHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟通层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InPPHEM

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736132 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202110015630.6 (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人