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集成芯片及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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集成芯片及其形成方法.pdf

    本发明实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底具有位于有源层与基础层之间的绝缘体层。半导体器件及浅沟槽隔离结构设置在绝缘体上硅衬底的前侧上。半导体芯结构连续地环绕半导体器件且穿过浅沟槽隔离结构并朝绝缘体上硅衬底的后侧延伸。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分环绕半导体芯结构的第一最外侧壁及第二最外侧壁。第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分分别具有第一突起及第二突起。第一突起及第二突起配置在浅沟槽隔离结构与绝缘体上硅衬底的绝缘体层之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750751 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010661732.0 H01L 27/12 (2006.01)

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