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半导体装置结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置结构及其形成方法.pdf

    提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含位于基底上方的多个半导体纳米结构以及位于基底上方的两个外延结构。半导体纳米结构的每一者在外延结构之间，且外延结构为p型掺杂。半导体装置结构也包含环绕半导体纳米结构的栅极堆叠物。半导体装置结构还包含位于栅极堆叠物与基底之间的介电应力结构，外延结构延伸超出介电应力结构的顶表面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750891 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010685457.6 H01L 21/28 (2006.01)

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