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本发明涉及一种基于同位素工程调控热辐射的装置及方法,该方法可对辐射热流调制装置的辐射传热系数进行调控,该装置包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体;其中,第一辐射体和第二辐射体中至少有一个组成元素存在两种或两种以上稳定同位素;通过材料中不同同位素的比例设计,对辐射体材料的生长同步进行膜厚监测,实现最佳材料组成和结构设计,即制备得到基于同位素工程调控的辐射热流调制装置,实现辐射传热系数的调节。该方法适用范围广泛,辐射体的间距既可为微纳米量级、又可为宏观量级;既可以增强、又可以抑制热辐射传递,且具有超
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115752061 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211247799.5
(22)申请日 2022.10.12
(71)申请人 北京大学
地址 100871 北京
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