原创力文档- 1
- 0
- 约1.71万字
- 约 23页
- 2023-06-06 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括选择管栅极，所述方法包括以下步骤：提供叠层结构；形成垂直穿过所述叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层；去除所述叠层结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层；去除与所述选择管栅极的预设形成位置水平对应的所述存储叠层，在去除的所述存储叠层的位置处形成绝缘的结构；在所述选择管栅极的预设形成位置填充栅极金属，形成所述选择管栅极；基于所述选择管栅极、所述绝缘的结构以及所述沟道层形成所述三维存储器的选择管；其中，所述选择管栅极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768466 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110152378.3
(22)申请日 2019.02.01
(62)分案原申请数
文档评论（0）