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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及纳米材料技术领域，提供了一种氮化硼纳米片@碳化硅纳米线异质填料的制备方法。本发明通过原位生长法在氮化硼纳米片上原位生长碳化硅纳米线，构筑制备“鸟巢状”异质结构，这种特殊形貌的异质结构使其在作为导热填料使用时，更易在环氧树脂基体中搭接形成高效的导热通路，可以在添加少量填料的情况下提高环氧树脂的导热性能；同时导热填料之间基于化学键合作用也有效避免更多界面热障的引入和导热填料团聚现象的发生，可以进一步提高环氧树脂的导热性能。实验结果表明，本发明提供的方法制备的氮化硼纳米片@碳化硅纳米线异质填
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112759790 B
(45)授权公告日 2022.07.01
(21)申请号 202110066640.2 (56)对比文件
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