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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及一种背向集成激光器件,包括基底、基底内设的波导结构、有源激光器件,有源激光器件通过半导体材料层与基底键合,有源激光器件上部设有第一金属电极,基底内设有第二金属电极结构,第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触;第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层。本发明还涉及上述激光器件的制造方法,包括,对SOI晶圆进行前段工艺,形成耦合波导,在激光器耦合波导两侧沉积互联金属;将SOI晶圆与载体晶圆键合;去除SOI晶圆上衬底,将BOX层减薄至目标值;制作金属层电极;与外延片键合;对外延
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112769034 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011640268.3
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 联合微电子中心有限责任公司
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