1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构的形成方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.54万字
  • 约 18页
  • 2023-06-06 发布于四川
  • 举报

半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的衬底上形成有若干鳍部；在第一区域和第二区域的衬底上形成第一隔离结构；形成横跨第一区域的鳍部和第一隔离结构的栅极结构和伪栅结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成外延层；刻蚀第二区域的部分第一隔离结构和衬底，形成第一开口；在第一开口内填充满导电材料层；刻蚀去除伪栅结构，同时刻蚀去除第一开口内部分厚度的导电材料层，形成电源轨；刻蚀第一区域的鳍部和第一隔离结构，形成第二开口，第二开口沿垂直于鳍部延伸方向贯穿鳍部；在第二开口内形成第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786535 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 20191

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >