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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体装置.pdf

    一种半导体装置，包括：衬底，包括基底衬底、基底衬底上的第一半导体层以及第一半导体层上的第二半导体层；在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一和第二鳍状结构，每一鳍状结构至少包括第二半导体层；在所述直线两侧绕第一和第二鳍状结构形成的第一隔离部；分别基于第一和第二鳍状结构在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中，第一和第二FinFET包括在第一隔离部上形成的分别与第一和第二鳍状结构相交的第一和第二栅堆叠；以及第一和第二鳍状结构之间、与第一和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768526 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011642715.9 (22)申请日 2018.09.19 (62)分案原申请数据 2018110

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