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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种综合黑硅以及石墨烯各自优点的石墨烯/黑硅光电复合探测器结构，属于光电探测技术领域，其包括Si衬底（5）、位于Si衬底（5）表面的重掺杂层（3）、位于重掺杂层（3）上方的石墨烯层（2）、设置在石墨烯层（2）上表面的上端电极（1）以及覆盖整个Si衬底（5）下表面的金属下端电极（4）；所述石墨烯层（2）与上端电极（1）之间形成欧姆接触。本发明解决了传统黑硅光电探测器载流子导出效率低和传统硅光电探测器探测波长范围有限的问题，能提高硅基探测器的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768535 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110016531.X
(22)申请日 2021.01.07
(71)申请人 四川大学
地址 61
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