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一种单片集成续流二极管的SiC MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种单片集成续流二极管的SiC MOSFET器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种单片集成续流二极管的SiCMOSFET器件及其制备方法。本发明通过在基本的SiCMOSFET结构上进行适当改良，在不增加工艺复杂度的基础上单片集成续流二极管，使得器件在第三象限工作的开启电压降低，反向特性得到改善，有效避免其体二极管长期工作而导致器件双极性退化问题，提高SiCMOSFET器件的可靠性。本发明极大改善了电容特性和门极电荷，有利于提高SiCMOSFET的动态工作性能。同时本发明利用JBS二极管的原理，通过两个P‑base形成耗尽区，对二极管界面起到电场屏蔽保护

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768532 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110201364.6 (22)申请日 2021.02.23 (71)申请人 湖南大学 地址 41

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