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- 2023-06-06 发布于四川
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本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法、存储器系统,所述三维存储器的制作方法包括:形成由多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的初始堆叠结构;所述初始堆叠结构包括在第一方向并列排布的初始核心区和初始台阶区,所述初始台阶区中设置有初始台阶结构,所述初始台阶结构包括沿第二方向并列排布的第一部分以及第二部分;所述第一方向与所述第二方向相互垂直且均与第三方向垂直;对所述第二部分沿所述第三方向进行第一刻蚀,使所述第二部分的台阶沿所述第三方向的最高高度不高于所述第一部分的台阶沿所述第三方向的最低高度;所述第三
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115768116 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211225959.6
(22)申请日 2022.10.09
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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