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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括如下步骤：提供晶圆，晶圆内具有切割道，切割道内具有测试焊盘、第一测试结构及第二测试结构；第二测试结构位于第一测试结构的下方，第二测试结构与第一测试结构之间的横向间距至少为测试焊盘的宽度；于晶圆上形成保护层，保护层至少覆盖切割道；对保护层进行曝光显影，以使得第一测试结构上方保留的保护层的厚度大于第二测试结构上方保留的保护层的厚度。上述半导体结构的制备方法将第二测试结构上方的保护层去除减薄，可以减少切割道内保护层的量，在使用锯刀进行晶圆切割时，可以避免保护层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786458 A
(43)申请公布日
2021.05.11
(21)申请号 20191
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