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一种晶体生长装置.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种晶体生长装置.pdf

    本发明的实施例提供了一种晶体生长装置，涉及半导体技术领域。晶体生长装置包括坩埚体、坩埚盖及隔板组件，坩埚盖与坩埚体连接并形成生长腔，隔板组件设置于生产腔内，并将生长腔分隔成原料腔及晶体腔，原料腔用于容置原料，晶体腔用于收集原料升华后形成的晶体，隔板组件上设置有连接槽，连接槽连通原料腔及晶体腔。在碳化硅升华的过程中，碳化硅原料碳化完细小杂质颗粒会随着碳化硅晶体的生长气氛沿着升华纹路向靠近晶体腔运动，设置在原料腔与晶体腔之间的隔板组件能够对杂质颗粒进行阻挡，阻止杂质颗粒进入到晶体腔内，避免杂质颗粒附

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112760712 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011551595.1 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 湖南三安半导体有限责任公司

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