原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种高质量SiC单晶制备装置及方法，属于晶体生长领域。解决了SiC单晶质量不佳，生长不够均匀，厚度达不到市场需求的问题。包括上盖、籽晶、下盖、坩埚主体、滤网、保温体、动力杆、石英管和加热线圈，所述坩埚主体内放置滤网，坩埚主体的上部设置下盖和上盖，下盖位于上盖下侧，下盖的下侧连接籽晶，上盖的上侧连接动力杆，坩埚主体外壁包覆有保温体，坩埚主体置于石英管内侧，石英管的外侧安装加热线圈。可以有效去除杂质的同时，防止二次引入新杂质，有效提高晶体质量；碳化硅原料由石墨滤网固定，在提纯以及长晶期间可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112779596 A
(43)申请公布日 2021.05.11
(21)申请号 202110249485.8
(22)申请日 2021.03.08
(71)申请人 哈尔滨科友半导体产业装备与技术
文档评论（0）