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- 2023-06-06 发布于四川
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本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅。沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起。导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起。形成各自周向围绕所述向上突起导电材料
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802847 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202011122699.0 H01L 27/11578 (2017.01)
(22)申请日
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