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一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法.pdfVIP

一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法.pdf

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    本发明公开了一种氟基SiC‑CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法，涉及第三代半导体材料碳化硅(SiC)晶体及薄膜外延生长过程中的尾气中有效组分的回收以及返回到半导体制程循环使用的环保领域，采取氯硅烷喷淋吸收、C2+浅冷油吸收、氯硅烷中浅冷精馏与中温变压吸附浓缩之间的耦合与循环操作来分离和提纯所需的主要有效组分C2+、SiF4、HF、HCl、氯硅烷，甚至H2，或返回到SiC‑CVD制程循环使用，或返回至本发明系统中循环使用，由此实现制程尾气资源的循环再利用，解决了尾气中C2

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112777569 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202011489037.7 C01B 33/107 (2006.01)

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