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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种转印头、转印头阵列及微LED巨量转移方法，转印头包括基体和开设于基体上形状记忆聚合物容纳腔、微LED容纳腔，形状记忆聚合物容纳腔内设有形状记忆聚合物，多个转印头以阵列的形式安装在转移基板上组成转印头阵列；首先控制形状记忆聚合物处于第一形态，将转印头阵列对准需要转移的微LED，升温，使得形状记忆聚合物处于第二形态，形状记忆聚合物侧向膨胀挤压微LED，将微LED夹持，之后将微LED移动至目标基板，连接好LED后，降温，使得形状记忆聚合物恢复第一形态，释放LED，完成一次巨量转移。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112786520 B
(45)授权公告日 2021.07.20
(21)申请号 202110386214.7 审查员 詹斯琦
(22)申请日 2021.04.12
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