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提供半导体装置的控制方法,能够降低导通损耗与开关损耗。半导体装置具备半导体部的第1面上的第1电极、第2面上的第2电极和设置于半导体部与第1电极之间的控制电极。半导体部包括第1层、第2层、第3层、第4层以及第5层。第2层位于第1层与第1电极之间,第3层选择性地设置于第2层与第1电极之间。第4以及第5层选择性地设置于第1层与第2电极之间。在半导体装置的控制方法中,在第1层与第2层之间的pn结正偏置而接下来逆偏置之前的第1期间,对控制电极施加第1电压,在第1期间后的第2期间,施加比第1电压高的第2电压
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112786697 A
(43)申请公布日 2021.05.11
(21)申请号 202010951160.X
(22)申请日 2020.09.11
(30)优先权数据
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