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存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法.pdf

    本申请案涉及存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768465 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110136434.4 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限

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