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背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法.pdf

    本发明涉及一种背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法，其中HEMT器件包括：自下而上依次层叠设置的衬底、P‑GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；源电极，设置在AlGaN势垒层上的一侧；漏电极，设置在AlGaN势垒层上的另一侧，且与源电极相对设置；源电极与漏电极之间的部分厚度的衬底、P‑GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，形成鳍形结构；栅电极，位于源电极与漏电极之间，覆盖鳍形结构垂直于衬底的两个侧面以及鳍形结构的顶面，栅电极与P‑GaN层之间形成欧姆接触；栅

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768508 B (45)授权公告日 2023.03.28 (21)申请号 202110084430.6 H01L 29/20 (2006.01)

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