一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法。采用射频掠射角磁控溅射技术，以氧化铟为靶材，将基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角控制在80°～90°，在硅基片表面沉积氧化铟薄膜，之后将试样置于马弗炉中在400～600℃条件下进行热处理。本发明制备的氧化铟气敏薄膜具有多孔柱状结构，能在150℃的较低温度下检测1ppm的二氧化氮气体，克服了传统粉末状气敏材料工作温度较高的缺点，同时本发明用于气体传感器领域可避免传统气敏粉末的二次转移过程，且与微电子工艺兼容、易于实现硅基集成、适用于工业大规模生

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112760603 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 20191