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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括：将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化；然后升温，通入氧气和携磷源载气，沉积磷源；停止通气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；然后降温，再次通气后沉积磷源；停止通入携磷源载气进行二次氧化，然后通气再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。本发明通过对硅片扩散工艺的改进，通过对制备PN结前后磷源沉积浓度的控制，优化表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，减少硅片内部缺陷；所述方法通过二次氧化能够为后续激光掺杂提供
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768346 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011583980.4
(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 横店集团东磁股份有限公司
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